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IC制造中硅片化學(xué)機械拋光材料去除機理研究
江蘇安全技術(shù)職業(yè)學(xué)院 李麗紅 2018/2/15 10:28:42
摘要：當(dāng)前信息技術(shù)的不斷發(fā)展，集成電路（IC）是信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)，也是推動高新技術(shù)發(fā)展的核心力量，化學(xué)機械拋光技術(shù)也是一種新型的技術(shù)，在集成電路的制造過程中可以發(fā)揮重要的作用，可以有效的兼顧加工表面的平整度。本文將從IC制造中硅片化學(xué)機械拋光材料去除機理方面進行研究，提出相應(yīng)的措施。
關(guān)鍵詞：集成電路；化學(xué)機械拋光；材料去除機理；研究
Abstract: With the continuous development of information technology, integrated circuit (IC) is the basis for the development of information industry and the core force to promote high-tech development. Chemical mechanical polishing technology is also a new type of technology that can be used in the manufacturing of integrated circuits An important role that can effectively take into account the smoothness of the processing surface. This article from the IC manufacturing silicon chemical mechanical polishing material removal mechanism to study and put forward corresponding measures.
Key words: integrated circuit; chemical mechanical polishing; material removal mechanism; research
集成電路（IC）是微電子技術(shù)的核心，也是當(dāng)前的一種新技術(shù)，可以推動社會信息技術(shù)的不斷發(fā)展，是當(dāng)前重要的科學(xué)技術(shù)，是以半導(dǎo)體集成電路作為基礎(chǔ)。當(dāng)前國際上以微電子為基礎(chǔ)的制造業(yè)發(fā)展迅速，成為重要的科學(xué)技術(shù)產(chǎn)業(yè)，需要更好地掌握微電子的制造技術(shù)，能夠有效的促進科學(xué)技術(shù)的不斷進步和發(fā)展，能夠在當(dāng)前激烈的市場競爭中占據(jù)重要的位置。集成電路對國民經(jīng)濟的發(fā)展有著重要推動作用。
一、 研究的背景和意義
IC是集成電路，屬于信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的基礎(chǔ)部分，是推動信息技術(shù)發(fā)展的重要核心力量，化學(xué)機械拋光簡稱CMP,這種技術(shù)可以有效兼顧加工表面的全局和局部的平整度，化學(xué)機械拋光技術(shù)已經(jīng)成為當(dāng)前使用最為廣泛的平坦化技術(shù)，能夠在材料的制備階段用于加工單晶硅。CMP技術(shù)在很大程度上主要是對材料去除機理的認識和理解，當(dāng)前隨著信息技術(shù)的不斷發(fā)展，CMP技術(shù)在很多的方面還存在問題，對其技術(shù)也提出更高的要求。集成電路是微電子技術(shù)的核心，主要是以半導(dǎo)體集成電路為基礎(chǔ)的一種信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)，對于國民經(jīng)濟的發(fā)展有著重要的促進作用，也是當(dāng)前發(fā)展迅速和競爭激烈的一個發(fā)展領(lǐng)域，先進的微電子技術(shù)能夠更好的促進科學(xué)技術(shù)的進步和發(fā)展，提升企業(yè)的經(jīng)濟效益。半導(dǎo)體是通過多個電子元件的集成形成一種集成電路。從20世紀(jì)60年代，集成電路也經(jīng)歷了從小到大的一種發(fā)展趨勢，電路的集成度還在不斷增長，21世紀(jì)的微電子技術(shù)的存儲容量也由3G時代發(fā)展到3T時代。當(dāng)前隨著計算機、通信以及網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的不斷發(fā)展，對于集成電路的要求也越來越高，集成電路也逐漸朝著一種高速化、高集成化的方向發(fā)展，其中IC制造追求薄膜化和導(dǎo)線多層化的發(fā)展趨勢中，半導(dǎo)體工藝技術(shù)遇到新的一種挑戰(zhàn)，集成電路芯片技術(shù)在硅片的表面生長的一種工藝，一種全局的平坦化技術(shù)由于制作過程中，出現(xiàn)的一系列不利因素，會嚴(yán)重影響到集成電路制成技術(shù)的可靠性。
二、相關(guān)的技術(shù)特點
CMP技術(shù)是一種化學(xué)機械拋光技術(shù)，主要由硅片夾持器、工作臺以及拋光液供給裝置三部分組成，在工件的表面會產(chǎn)生一種化學(xué)反應(yīng)，改變原有工件表面材料的化學(xué)元素，生成一層能夠去除的反應(yīng)膜，這種反應(yīng)膜主要是通過磨粒和拋光墊的機械作用去除，將工件表面極薄的材料去除之后，能夠獲得一種高精度、沒有加工缺陷的工件表面。這種化學(xué)機械拋光技術(shù)是將化學(xué)作用與機械作用共同結(jié)合的一種技術(shù)，其中的影響因素也是比較多，首先是工件表面與拋光墊之間的氧化劑和材料進行化學(xué)反應(yīng)，隨后拋光液中的高分子材料通過化學(xué)反應(yīng)之后會將表層的薄膜去除，工件表面就有明顯的裸露，之后再重復(fù)上面的化學(xué)反應(yīng)步驟，這樣通過化學(xué)反應(yīng)與機械作用之間（未完，下一頁）
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