基于新型多MCU系統(tǒng)的多功能電能表的設(shè)計(jì)
(作者未知) 2010/2/1
(接上頁)信)。通常,通信由主器件發(fā)送一個(gè)啟動(dòng)狀態(tài)開始,然后發(fā)送一個(gè)帶有讀、寫識(shí)別的從地址,這個(gè)從地址的高7位標(biāo)識(shí)器件的ID號(hào),最低位標(biāo)識(shí)讀寫或數(shù)據(jù)傳輸方向,0為寫1為讀。寫數(shù)據(jù)時(shí)由主器件向從器件傳送數(shù)據(jù),讀數(shù)時(shí)由從器件向主器件傳送數(shù)據(jù)?偩上所有器件都有內(nèi)部邏輯,當(dāng)檢測(cè)到啟動(dòng)狀態(tài)后則進(jìn)入電平比較狀態(tài),如果從地址與其ID標(biāo)號(hào)相符則被選中并自動(dòng)產(chǎn)生一個(gè)應(yīng)答位,從而建立通信連接,否則不予應(yīng)答。一旦建立通信連接,可根據(jù)需要由通信軟件控制主、從器件之間傳輸數(shù)據(jù)字節(jié)的長(zhǎng)短。最后,通信結(jié)束時(shí)由主器件產(chǎn)生一個(gè)停止?fàn)顟B(tài)(Stop)以結(jié)束這次通信。圖3b說明了I2C 總線的通信時(shí)序。
當(dāng)I2C 總線是多主器件總線時(shí),由于SDA和SCL信號(hào)線接上拉電阻,并且各個(gè)器件的輸出都為開漏或開集的形式,因而構(gòu)成“線與”的功能,就是說只要有一個(gè)器件擔(dān)當(dāng)了主器件的角色,總線就處于忙的狀態(tài),這形成了良好有序的競(jìng)爭(zhēng)檢測(cè)機(jī)制,因而不會(huì)產(chǎn)生數(shù)據(jù)共享傳輸沖突。
1.2、鐵電存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)原理、特性及應(yīng)用
FM31256芯片是美國(guó)Ramtron公司的最新產(chǎn)品,集成了256Kb容量的鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)、實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)、外部事件計(jì)數(shù)器、看門狗及掉電監(jiān)測(cè)復(fù)位等功能,其結(jié)構(gòu)原理如圖4示。 其中,鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)同時(shí)具備隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲(chǔ)器(ROM)的特點(diǎn),既可無限次讀寫存取數(shù)據(jù),又能在斷電情況下保存數(shù)據(jù),并且沒有讀寫延時(shí)可以總線速度存取數(shù)據(jù),具有即時(shí)讀寫的優(yōu)點(diǎn)。與此相比,E2PROM在寫入數(shù)據(jù)后一般要5~10ms的等待數(shù)據(jù)寫入時(shí)間,而且寫入壽命有限,通常讀寫一百萬次以后數(shù)據(jù)寫入失效,因而并不適合做數(shù)據(jù)共享存儲(chǔ)器。
在這個(gè)集成了多個(gè)邏輯器件的芯片中,鐵電存儲(chǔ)器單元(FRAM)和實(shí)時(shí)時(shí)鐘單元(RTC)均符合I2C 總線標(biāo)準(zhǔn),最大可達(dá)到1MHz的總線頻率。由于集成在同一個(gè)芯片上,F(xiàn)RAM和RTC共用同一個(gè)I2C 總線接口,但是地址標(biāo)號(hào)(Slave ID)各自獨(dú)立,分別為1010XA1A0D和1101X A1A0D,其中D 是數(shù)據(jù)傳輸方向位用于標(biāo)志讀、寫操作,A1A0用來選擇I2C 總線上的多個(gè)同類器件,最多可以從4個(gè)FRAM或RTC器件中進(jìn)行選擇,各個(gè)器件的A1A0值由芯片的外部引腳電平?jīng)Q定。編寫通信軟件時(shí),在I2C 總線上首先給一個(gè)啟動(dòng)(Start)信號(hào),然后發(fā)送Slave ID(1010XA1A0D),再判斷Acknowledge信號(hào),如果有,則主控器件發(fā)送兩個(gè)字節(jié)的存儲(chǔ)器地址(MSB和LSB)對(duì)FRAM的32KByte存儲(chǔ)空間進(jìn)行尋址,之后進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸,每個(gè)數(shù)據(jù)字節(jié)跟隨一個(gè)Acknowledge(或者Non-Acknowledge)信號(hào),通信完畢以Stop信號(hào)結(jié)束操作。其中,MSB和LSB尋址字節(jié)可以用于單字節(jié)、多字節(jié)兩種形式的存取操作,當(dāng)多字節(jié)操作時(shí)MSB指示存儲(chǔ)頁面不變,LSB保存在內(nèi)部緩存器中,每存取一個(gè)字節(jié)單元的數(shù)據(jù)LSB自動(dòng)增加1以指向下一個(gè)存儲(chǔ)單元,當(dāng)達(dá)到存儲(chǔ)范圍末端時(shí)存儲(chǔ)器地址自動(dòng)回歸0000H。這在多MCU系統(tǒng)中對(duì)特定參數(shù)的數(shù)據(jù)共享操作十分方便。
由于FRAM的上述優(yōu)點(diǎn),特別適合于那些對(duì)數(shù)據(jù)采集、讀寫時(shí)間要求很高的場(chǎng)合,而且由于不會(huì)出現(xiàn)數(shù)據(jù)丟失,其可靠的存儲(chǔ)能力足以讓我們放心的把一些重要數(shù)據(jù)存儲(chǔ)其中。其近乎無限次寫入的使用壽命,使它很適合擔(dān)當(dāng)數(shù)據(jù)共享存儲(chǔ)體,用來在多功能電能表的MCU之間共享數(shù)據(jù),供各個(gè)子系統(tǒng)頻繁讀寫。
2. 基于I2C總線的多MCU系統(tǒng)結(jié)構(gòu)及工作原理
I2C 總線接口電路簡(jiǎn)單,使用靈活,加上鐵電存儲(chǔ)器的讀寫速度高、數(shù)據(jù)保護(hù)可靠、讀寫壽命無限等優(yōu)點(diǎn),自然為我們提供了一種十分理想的基于I2C 總線的新型多MCU系統(tǒng)構(gòu)建方案,以FM31256芯片為例設(shè)計(jì)的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)框圖。
每個(gè)MCU只需兩條I/O口線如P2.2、P2.3分別與SDA、SCL總線相連即可,MCU1和MCU2分別用做控制和計(jì)算的微控制器,通常用數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)執(zhí)行復(fù)雜算法的計(jì)算,圖5中MCU2的P2.2、P2.3線僅代表普通I/O口。另外,為了更好的協(xié)調(diào)對(duì)I2C總線資源的使用,我們?cè)O(shè)計(jì)了兩條I/O口線P2.0、P2.1用來在兩個(gè)MCU之間傳遞I2C 總線的使用信息,以達(dá)到提高多個(gè)MCU之間數(shù)據(jù)共享效率的目的。MCU1作為I2C 總線的主器件時(shí),P2.0輸出高電平以通知MCU2此時(shí)I2C 總線正被占用,使用完畢將P2.0電平置低,此時(shí)MCU2的P2.1檢測(cè)到電平跳變則判斷出I2C 總線處于空閑可用狀態(tài)。同樣,MCU2作為I2C總線的主器件時(shí),也從P2.0輸出高電平來通知MCU1此時(shí)I2C 總線正被占用,使用完畢將其置低,由MCU1的P2.1引腳根據(jù)電平跳變決定何時(shí)可以(未完,下一頁)
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