改進(jìn)型MOS電流鏡設(shè)計
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資料類別
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電子電工畢業(yè)論文(設(shè)計) |
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課程(專業(yè))
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電路與系統(tǒng) |
關(guān)鍵詞
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鏡像電流源|電流鏡 |
適用年級
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大學(xué) |
身份要求
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普通會員 |
金 幣
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70 。金幣如何獲得?) |
文件格式
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word |
文件大小
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195K |
發(fā)布時間
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2009-05-03 18:30:00 |
預(yù)覽文件
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無 |
下載次數(shù)
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3 |
發(fā)布人 |
lcw |
內(nèi)容簡介:
畢業(yè)設(shè)計 改進(jìn)型MOS電流鏡設(shè)計 共49頁,21055字
摘 要
隨著模擬集成電路設(shè)計工藝的不斷改進(jìn)和提高,版圖級低壓技術(shù)得到廣泛的應(yīng)用,同時對設(shè)計參數(shù)的精確度提出了更高的要求。電流鏡是模擬集成電路中基本的單元電路之一。隨著低功耗模擬集成電路和電流模技術(shù)的發(fā)展,對電流鏡的設(shè)計研究越來越重要,如何在低壓芯片系統(tǒng)下精確復(fù)制電流依然是集成電路中電流鏡電路設(shè)計的重點。
考慮到集成電路的制造工藝和版圖級物理性質(zhì)比較復(fù)雜,因此本文主要是對模擬集成電路應(yīng)用當(dāng)中的MOS電流鏡電路結(jié)構(gòu)的分析和改進(jìn)。
本文首先對晶體管組成的典型鏡像電流源—基本鏡像電流源、改進(jìn)型電流源進(jìn)行電路參數(shù)分析,并分析了實現(xiàn)電路的誤差、輸出電阻、及其受到輸出電壓的影響。在此基礎(chǔ)上對CMOS模擬集成電路設(shè)計中組成電流鏡單元模塊的各種電路模型—基本電流鏡、共源共柵電流鏡、威爾電流鏡的輸入輸出阻抗、輸出電流范圍和輸出端工作電壓的要求進(jìn)行了數(shù)據(jù)分析和比較,并總結(jié)了MOS電流鏡在模擬集成電路中的特點,最后完成了兩種改進(jìn)型MOS低壓電流鏡的電路結(jié)構(gòu)的設(shè)計和仿真。
本文詳細(xì)分析的以上電路實現(xiàn)原理和電路指標(biāo),并給出了ORCAD電路分析和PSpice仿真結(jié)果。
關(guān)鍵詞:鏡像電流源,電流鏡,M2N6758,PSpice
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