|
半導(dǎo)體載流子濃度問題
|
|
資料類別
|
電子電工畢業(yè)論文（設(shè)計） |
|
|
課程(專業(yè))
|
電子技術(shù) |
|
關(guān)鍵詞
|
半導(dǎo)體|谷間散射 |
|
適用年級
|
大學(xué) |
|
身份要求
|
普通會員 |
|
金 幣
|
45 �。�金幣如何獲得？） |
|
文件格式
|
word |
|
文件大小
|
183K |
|
發(fā)布時間
|
2009-05-06 09:13:00 |
|
預(yù)覽文件
|
無 |
|
下載次數(shù)
|
0 |
| 發(fā)布人 |
lcw |
內(nèi)容簡介：
畢業(yè)設(shè)計 半導(dǎo)體載流子濃度問題 共24頁，7599字
目 錄
摘要…………………………………………………………………………………..I
Abstract…………………………………………………………………………….II
引言 1
第一章 基本理論 3
1.1 二維電子氣的屏蔽庫侖勢 6
1.2 二維電子氣的庫侖散射 8
第二章 幾種主要的散射機(jī)制 9
2.1 電離雜質(zhì)散射 9
2.2 聲學(xué)波形變勢散射 10
2.3 聲學(xué)波壓電形變勢散射 11
2.4 非極性光學(xué)波散射 11
2.5 極性光學(xué)波散射 12
2.6 谷間散射 12
2.7 表面粗糙散射 13
2.8 自散射 13
2.9 舉例和討論 13
總 結(jié) 13
致 謝 13
參考文獻(xiàn) 13
附錄 13
引言
二十一世紀(jì)是電子信息化的時代，而集成電路技術(shù)作為電子信息技術(shù)的基礎(chǔ)，它的發(fā)展規(guī)模和科學(xué)技術(shù)水平已經(jīng)成為一個國家綜合實力的標(biāo)志之一。集成電路自1958年誕生以來，一直以驚人的速度發(fā)展著。芯片上集成的晶體管數(shù)由幾十個、幾千個到現(xiàn)在的幾千萬個。經(jīng)歷了小規(guī)模集成（SSI）、中規(guī)模集成（MSI）、大規(guī)模集成（LSI）的發(fā)展階段，現(xiàn)在已進(jìn)入超大規(guī)模（VLSI）和特大規(guī)模的階段，是一個SOC（System On Chip）的時代。目前,以集成電路為核心的電子信息產(chǎn)業(yè)超過了以汽車、石油、鋼鐵為代表的傳統(tǒng)工業(yè)成為第一大產(chǎn)業(yè),成為改造和拉動傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)邁向數(shù)字時代的強(qiáng)大引擎和雄厚基石。1999年全球集成電路的銷售額為1250億美元,而以集成電路為核心的電子信息產(chǎn)業(yè)的世界貿(mào)易總額約占世界GNP的3%,現(xiàn)代經(jīng)濟(jì)發(fā)展的數(shù)據(jù)表明,每l~2元的集成電路產(chǎn)值,帶動了10元左右電子工業(yè)產(chǎn)值的形成,進(jìn)而帶動了100元GDP的增長。目前,發(fā)達(dá)國家國民經(jīng)濟(jì)總產(chǎn)值增長部分的65%與集成電路相關(guān)；美國國防預(yù)算中的電子含量已占據(jù)了半壁江山(2001年為43.6%)。預(yù)計未來10年內(nèi),世界集成電路銷售額將以年平均15%的速度增長,2010年將達(dá)到6000~8000億美元。作為當(dāng)今世界經(jīng)濟(jì)競爭的焦點,擁有自主版權(quán)的集成電路已日益成為經(jīng)濟(jì)發(fā)展的命脈、社會進(jìn)步的基礎(chǔ)、國際競爭的籌碼和國家安全的保障。
集成電路的發(fā)展一直遵從兩個定律，即“摩爾定律”。所謂摩爾定律是指芯片集成度每18個月增長一倍，價格不變，或者說器件尺寸每三年縮小K倍；而按比例縮小定律是而技術(shù)整體更新一代MOS器件的橫向縱向尺寸（溝道長、寬度等橫向尺寸和柵層厚度、結(jié)深等縱向尺寸）按一定比例K縮小，單位面積上的功耗可保持不變；這時器件所占的面積（因而成本）可隨之縮小K2倍，器件性能可提高K3倍。所以器件越小，同樣面積芯片可集成更多、更好的器件，還降低了器件相對成本。這是摩爾定律的物理基礎(chǔ)，也正是這種物理特性，刺激了加速的技術(shù)創(chuàng)新。所以，隨著集成電路技術(shù)的迅速發(fā)展，器件的尺寸也隨之迅速縮小。
自20世紀(jì)60年代以來，隨著集成電路得發(fā)展，半導(dǎo)體器件也以驚人的速度發(fā)展著。由微米到亞微米、深亞微米即將進(jìn)入納米時代。隨著集成電路技術(shù)進(jìn)入SOC時代，器件也進(jìn)入了0.13~0.15微米的超深亞微米時代。20世紀(jì)80年代中期我國集成電路的加工水平為5微米，其后，經(jīng)歷了3、1、0.8、0.5、0.35微米的發(fā)展，目前達(dá)到了0.13微米的水平，而當(dāng)前國際水平為0.09微米（90納米）。以納米IC設(shè)計技術(shù)為基礎(chǔ)的SOC是國際超大規(guī)模集成電路發(fā)展的趨勢和二十一世紀(jì)集成電路技術(shù)的主流。
器件的特征尺寸進(jìn)入超深亞微米及納米時代，小尺寸效應(yīng)及量子化效應(yīng)已相當(dāng)顯著，如對MOS器件而言，當(dāng)溝道寬度減小到納米時，有短溝道效應(yīng)、窄溝道效應(yīng)及其耦合引起的三維效應(yīng)已不可忽略，此時利用經(jīng)典方法對器件進(jìn)行模擬已不能精確地分析器件的特性，器件設(shè)計面臨新的困難。因此，蒙特卡羅方法就顯得非常有效。而器件內(nèi)部載流子濃度的分布對器件的電學(xué)性質(zhì)，尤其是對小尺寸器件的電學(xué)性質(zhì)有顯著影響。因此，對納米溝道器件的載流子濃度的提取是有其迫切性和重要意義的，可對器件的性能更好的評估。
相關(guān)說明：
1. 如您下載的資料不止一份，建議您注冊成為本站會員。會員請登錄后下載。
2. 會員購買金幣50元以下，0.7元/個，50元以上，0.5元/個。具體請看：下載與付款。
3. 會員48小時內(nèi)下載同一文件，不重復(fù)扣金幣。
4. 下載后請用WinRAR或 WinZIP解壓縮后使用。
5. 如仍有其他下載問題，請看常見問題解答。
下載地址：
|
|
| 相關(guān)畢業(yè)論文（設(shè)計） |
|
|
| 推薦畢業(yè)論文（設(shè)計） |
|
|
|
|
|