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化學溶液分解法在硅襯底上制備了環(huán)境協(xié)調(diào)性(Bi0.5Na0.5)TiO3鐵電薄膜和Na0.5Bi0.5TiO3/LaNiO3/Bi2Ti2O7/Si薄膜結構測試了其結晶性
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資料類別
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化工建筑畢業(yè)論文（設計） |
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課程(專業(yè))
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化學原理 |
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關鍵詞
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化學溶液分解法|鐵電薄膜 |
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適用年級
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大學 |
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身份要求
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普通會員 |
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金 幣
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60 �。�金幣如何獲得？） |
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文件格式
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word |
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文件大小
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發(fā)布時間
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2009-06-21 09:14:00 |
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內(nèi)容簡介：
畢業(yè)設計 化學溶液分解法在硅襯底上制備了環(huán)境協(xié)調(diào)性(Bi0.5Na0.5)TiO3鐵電薄膜和Na0.5Bi0.5TiO3/LaNiO3/Bi2Ti2O7/Si薄膜結構測試了其結晶性，共33頁，21611字
摘要
本論文采用化學溶液分解法在硅襯底上制備了環(huán)境協(xié)調(diào)性(Bi0.5Na0.5)TiO3鐵電薄膜和Na0.5Bi0.5TiO3/LaNiO3/Bi2Ti2O7/Si薄膜結構，測試了其結晶性，并利用Au做電極材料制備了(Bi0.5Na0.5)TiO3薄膜的MFMISM結構測試了其電學性能。對比(Bi0.5Na0.5)TiO3薄膜不同襯底材料上的結晶情況：XRD圖譜顯示，單晶硅上的(Bi0.5Na0.5)TiO3薄膜易出現(xiàn)Bi2Ti2O7雜峰，LaNiO3上的(Bi0.5Na0.5)TiO3薄膜為鈣鈦礦結構的多晶膜，有效避免Bi2Ti2O7的形成。對Au/(Bi0.5Na0.5)TiO3/LaNiO3/Bi2Ti2O7/Si結構的電學性能分析得出：此薄膜有良好的電絕緣性，當電壓在±6V之間時，漏電流小于1.1×10-10A；測試不同電壓下的C-V曲線，發(fā)現(xiàn)記憶窗口隨電壓的增加基本上呈線性增加，存儲模式為電極化存儲，存儲效應良好。薄膜也顯示了良好的介電性，在100kHz頻率下，介電常數(shù)和損耗因子分別為2.18和0.06。
關鍵詞：(Bi0.5Na0.5)TiO3；化學溶液分解法；鐵電薄膜
目錄
摘 要 I
Abstract II
1.緒論 1
1.1 研究背景 1
1.2 研究現(xiàn)狀及存在的問題 5
1.3 研究內(nèi)容及意義 7
2.實驗原理與測試方法 8
2.1 薄膜制備技術 8
2.1.1 物理沉積法 8
2.1.2 化學沉積法 8
2.2 化學溶液分解法 9
2.3 分析測試技術 10
2.3.1 X-射線衍射分析 10
2.3.2 絕緣性能分析 10
2.3.3 電容-電壓特性分析 11
2.3.4 介電性分析 13
3.(Bi0.5Na0.5)TiO3鐵電薄膜的制備及測試方法 14
3.1 實驗原料及設備 14
3.1.1 試驗原料 14
3.1.2 主要儀器設備 14
3.2 前驅(qū)體溶液的配制 14
3.3 薄膜的制備 15
3.3.1 襯底的制備 15
3.3.2 旋涂法制備(Bi0.5Na0.5)TiO3膜 16
3.4 電極的制備 17
4.(Bi0.5Na0.5)TiO3鐵電薄膜的結構及電學性質(zhì)的研究 19
4.1 薄膜結晶性分析 19
4.1.1 (Bi0.5Na0.5)TiO3/Si結構薄膜的XRD圖 19
4.1.2 (Bi0.5Na0.5)TiO3/ITO/Si結構薄膜的XRD圖 20
4.1.3 (Bi0.5Na0.5)TiO3/LaNiO3/Si結構薄膜的XRD圖 20
4.1.4 (Bi0.5Na0.5)TiO3/LaNiO3/Bi2Ti2O7/Si結構薄膜的XRD圖 25
4.2 電學性能分析 26
4.2.1 (Bi0.5Na0.5)TiO3薄膜MFMISM結構的絕緣性分析 26
4.2.2 (Bi0.5Na0.5)TiO3薄膜MFMISM結構的C-V特性特性分析 24
4.2.3 電壓應力下(Bi0.5Na0.5)TiO3薄膜MFMISM結構的C-V特性分析 25
4.2.4 不同頻率下(Bi0.5Na0.5)TiO3薄膜MFMISM結構的C-V特性分析 26
4.2.5 (Bi0.5Na0.5)TiO3薄膜MFMISM結構的介電性分析 27
4.3 小結 27
5.結論 28
致 謝 29
參考文獻 30
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