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三相橋式PWM逆變電路設(shè)計(jì)
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資料類別
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電子電工畢業(yè)論文（設(shè)計(jì)） |
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課程(專業(yè))
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電力電子技術(shù) |
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關(guān)鍵詞
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三相橋式PWM逆變電路|PWM |
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適用年級
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大學(xué) |
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身份要求
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游客 |
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金 幣
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0 （金幣如何獲得？） |
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文件格式
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word |
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文件大小
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793K |
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發(fā)布時(shí)間
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2010-07-03 14:59:00 |
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預(yù)覽文件
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無 |
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下載次數(shù)
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98 |
| 發(fā)布人 |
lj |
內(nèi)容簡介：
課程設(shè)計(jì) 三相橋式PWM逆變電路設(shè)計(jì)，共27頁，7703字
一、課題背景
正弦逆變電源作為一種可將直流電能有效地轉(zhuǎn)換為交流電能的電能變換裝置被廣泛地應(yīng)用于國民經(jīng)濟(jì)生產(chǎn)生活中 ,其中有:針對計(jì)算機(jī)等重要負(fù)載進(jìn)行斷電保護(hù)的交流不間斷電源 UPS (Uninterruptle Power Supply) ;針對交流異步電動(dòng)機(jī)變頻調(diào)速控制的變頻調(diào)速器;針對智能樓宇消防與安防的應(yīng)急電源 EPS ( Emergence Power Supply) ;針對船舶工業(yè)用電的岸電電源 SPS(Shore Power Supply) ;還有針對風(fēng)力發(fā)電、太陽能發(fā)電等而開發(fā)的特種逆變電源等等.隨著控制理論的發(fā)展與電力電子器件的不斷革新 ,特別是以絕緣柵極雙極型晶體管 IGBT( Insulated Gate Bipolar Transistor)為代表的自關(guān)斷可控型功率半導(dǎo)體器件出現(xiàn) ,大大簡化了正弦逆變電源的換相問題 ,為各種 PWM 型逆變控制技術(shù)的實(shí)現(xiàn)提供了新的實(shí)現(xiàn)方法 ,從而進(jìn)一步簡化了正弦逆變系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)與控制.電力電子器件的發(fā)展經(jīng)歷了晶閘管（SCR）、可關(guān)斷晶閘管（GTO）、晶體管（BJT）、絕緣柵晶體管（IGBT）等階段。目前正向著大容量、高頻率、易驅(qū)動(dòng)、低損耗、模塊化、復(fù)合化方向發(fā)展，與其他電力電子器件相比，IGBT具有高可靠性、驅(qū)動(dòng)簡單、保護(hù)容易、不用緩沖電路和開關(guān)頻率高等特點(diǎn)，為了達(dá)到這些高性能，采用了許多用于集成電路的工藝技術(shù)，如外延技術(shù)、離子注入、精細(xì)光刻等。IGBT最大的優(yōu)點(diǎn)是無論在導(dǎo)通狀態(tài)還是短路狀態(tài)都可以承受電流沖擊。它的并聯(lián)不成問題，由于本身的關(guān)斷延遲很短，其串聯(lián)也容易。盡管IGBT模塊在大功率應(yīng)用中非常廣泛，但其有限的負(fù)載循環(huán)次數(shù)使其可靠性成了問題，其主要失效機(jī)理是陰極引線焊點(diǎn)開路和焊點(diǎn)較低的疲勞強(qiáng)度，另外,絕緣材料的缺陷也是一個(gè)問題。
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