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IGBT的仿真設(shè)計
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資料類別
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電子電工畢業(yè)論文（設(shè)計） |
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課程(專業(yè))
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電子科學(xué)與技術(shù) |
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關(guān)鍵詞
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絕緣柵雙極型晶體管|功率半導(dǎo)體器件 |
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適用年級
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大學(xué) |
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身份要求
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普通會員 |
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金 幣
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50 �。�金幣如何獲得？） |
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文件格式
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word |
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文件大小
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1012K |
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發(fā)布時間
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2012-09-29 17:17:00 |
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預(yù)覽文件
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無 |
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下載次數(shù)
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1 |
| 發(fā)布人 |
kj008 |
內(nèi)容簡介：
畢業(yè)論文 IGBT的仿真設(shè)計，說明書共55頁，12396字。
摘要
絕緣柵雙極型晶體管（IGBT)是具有高的輸入阻抗、較低的通態(tài)壓降，能夠處理較大的電流的功率半導(dǎo)體器件。本文首先介紹了IGBT的發(fā)展、IGBT的結(jié)構(gòu)、工作特性和主要參數(shù)等。并且對IGBT的參數(shù)進(jìn)行了分析,初步估計出IGBT的參數(shù)。先使用Athena軟件進(jìn)行工藝仿真出器件的結(jié)構(gòu)，然后用atlas軟件進(jìn)行器件仿真，驗證設(shè)計，最終實現(xiàn)電流為100A 電壓為1000V的IGBT。論文還用TANNER軟件畫出IGBT的原胞版圖。
關(guān)鍵詞：絕緣柵雙極型晶體管 功率半導(dǎo)體器件 電力電子
目錄
摘要 III
第一章 緒論 1
1.1功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展 [1] 1
1.2 IGBT的誕生和發(fā)展 2
1.3 IGBT的應(yīng)用 2
第二章 IGBT的結(jié)構(gòu)、工作特性和主要參數(shù) 3
2.1 IGBT的結(jié)構(gòu) 3
2.2工作原理 4
2.3 IGBT的特性 5
2.3.1 IGBT的靜態(tài)特性 5
2.3.2 IGBT動態(tài)特性 7
2.4 IGBT的設(shè)計理論 8
2.4.1 IGBT的結(jié)構(gòu)設(shè)計理論 8
2.4.2 IGBT的閂鎖效應(yīng) 9
2.4.3 器件設(shè)計的主要性能影響因素 9
第三章 IGBT的設(shè)計 12
3.1外延層的計算 12
3.1.1 IGBT的擊穿機(jī)理 12
3.2 柵氧化層的計算 14
3.3 P阱的設(shè)計 14
3.4陰極N阱（NSD）的設(shè)計 15
3.5飽和電流的計算[6] 15
第四章IGBT的工藝仿真 16
4.1工藝參數(shù) 16
4.2 使用Athena軟件設(shè)計工藝流程 16
4.2.1 定義網(wǎng)格 16
4.2.2 外延緩沖層 17
4.2.3 外延N-外延層 18
4.2.4 在外延層上生長一層?xùn)叛趸瘜雍投嗑Ч?19
5.2.5 離子注入P-base、N+發(fā)射極 20
4.2.6 淀積AL、刻蝕掉不需要的部分 22
4.2.7定義電極 23
第五章 器件的特性分析 26
5.1 分析器件的參數(shù)對閾值電壓的影響 26
5.2 IGBT輸出特性曲線的仿真 31
5.3 IGBT極的擊穿特性的仿真 33
第六章 IGBT 版圖的設(shè)計 36
6.1 版圖參數(shù)的計算 36
6.2版圖的設(shè)計流程 37
總 結(jié) 40
參考文獻(xiàn) 41
致謝 42
附錄 43
附錄1：使用Athena軟件設(shè)計IGBT 43
附錄2：使用ATLAS設(shè)計IGBT,并且測試出柵壓為10V的器件的輸出特性曲線。 44
附錄3：使用ATLAS測試IGBT的擊穿電壓 46
附錄4：使用ATLAS測試IGBT的閾值電壓 47
附錄5：使用ATHENA軟件仿真P阱的注入N+發(fā)射區(qū)的注入 48
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