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吡啶嗡鹽化合物的合成及其介電性質(zhì)的研究
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資料類(lèi)別
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化工建筑畢業(yè)論文（設(shè)計(jì)） |
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課程(專(zhuān)業(yè))
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無(wú)機(jī)化學(xué) |
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關(guān)鍵詞
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低介電|溶劑熱 |
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適用年級(jí)
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研究生 |
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身份要求
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游客 |
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金 幣
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0 �。�金幣如何獲得？） |
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文件格式
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caj |
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5086K |
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發(fā)布時(shí)間
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2014-12-21 10:27:00 |
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無(wú) |
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2 |
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kj008 |
內(nèi)容簡(jiǎn)介：
吡啶嗡鹽化合物的合成及其介電性質(zhì)的研究，碩士學(xué)位論文，共59頁(yè)。
中文摘要
隨著半導(dǎo)體集成電路技術(shù)的不斷發(fā)展，促進(jìn)了新材料，新技術(shù)的快速進(jìn)步，也使得半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)為工業(yè)界不容忽視的力量。但隨著導(dǎo)線(xiàn)寬度的不斷減小、晶體管局部密度的不斷上升，電阻-電容（RC）延遲而引起的信號(hào)延時(shí)、導(dǎo)線(xiàn)間信號(hào)干擾以及功率耗散等，成為集成電路這項(xiàng)工藝技術(shù)發(fā)展時(shí)一個(gè)不可回避的課題。
除了采用銅這類(lèi)低電阻率金屬替代鋁外，如何降低介質(zhì)層之間的寄生電容 C 是降低能耗、線(xiàn)間串?dāng)_和互連延遲的首要問(wèn)題。由于 C 正比于 k（介電常數(shù)），采用低介電常數(shù)(low k)介質(zhì)薄膜作金屬線(xiàn)間和層間介質(zhì)以代替?zhèn)鹘y(tǒng) SiO2介質(zhì)(k≈4) 是非常有效的方法。
常用的低介電性能聚合物和多孔材料也存在一些不足，尋找和開(kāi)發(fā)新的低 k材料作為介質(zhì)已成為技術(shù)關(guān)鍵。本文研究了分子構(gòu)型及堆積方式對(duì)材料的介電常數(shù)的影響，以及兩種材料之間的轉(zhuǎn)換。
論文的主要工作分為以下三個(gè)部分：
1、綜述了國(guó)內(nèi)外低介電材料的研究進(jìn)展，探討了本體低 k 材料，摻雜二氧化硅和納米低 k 材料這三大類(lèi)低介電雜化材料的機(jī)理及應(yīng)用，并討論了現(xiàn)有的降低介電值的有效方法及低介電薄膜的基本制備辦法。
2、以溶劑熱方法合成了兩種堆積方式不同的吡啶嗡鹽化合物 v-C12H14I2N2 (1)和 p-C12H14I2N2
(2)，通過(guò)熱重、紫外、變溫 XRD 等手段進(jìn)行表征，探討了堆積方式對(duì)介電性能的影響，并且通過(guò)理論計(jì)算解釋了相關(guān)結(jié)果。通過(guò)控制條件的變化得到兩種材料的相互轉(zhuǎn)化。
3、設(shè)計(jì)合成四種吡啶嗡鹽化合物(化合物 3-6)，并對(duì)這四個(gè)化合物進(jìn)行了單晶結(jié)構(gòu)的測(cè)定分析，表征了它們的紅外、元素分析等，確定了它們的結(jié)構(gòu)。通過(guò)結(jié)構(gòu)討論分析四種化合物作為低介電材料的可能性。
關(guān)鍵詞：低介電，溶劑熱，吡啶嗡鹽，異構(gòu)體轉(zhuǎn)化
第一章 低介電材料的分類(lèi)及其進(jìn)展研究
隨著集成電路技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體工業(yè)已進(jìn)入亞微米時(shí)代（小于 0.35μm）。特征尺寸不斷的減小和金屬連線(xiàn)高寬比的增加導(dǎo)致了互連電容快速上升，引起串?dāng)_問(wèn)題[1]（見(jiàn)圖 1.1）。另一方面，層數(shù)增加引起層間寄生電容加大，并產(chǎn)生額外的互連時(shí)，就會(huì)阻礙電路速度的提高，同時(shí)增加功耗[2]。所有這些問(wèn)題限制了電路性能
的改進(jìn)。尋找和開(kāi)發(fā)新的低介電常數(shù)（k）材料作為介質(zhì)已成為技術(shù)關(guān)鍵。傳統(tǒng)介質(zhì)材料 SiO2逐漸不能滿(mǎn)足集成電路提高性能的需要。超大規(guī)模集成電路（ULSI）使用的介電材料不僅要有很低的介電常數(shù)，而且還要具備以下特征：一定大小的擊穿電壓（至少 4MV/cm）[3]、很高的楊氏模量[2a, 4]、較高的機(jī)械強(qiáng)度[5]、熱穩(wěn)定
性較高（至少 450 °C ）[6]、很低的漏電電流[3a, 7]、吸濕性較低[8]、薄膜張力較小[9]、較低的熱膨脹系數(shù)[3b, 10]、較高的粘著強(qiáng)度[2c]以及與 CMP（化學(xué)機(jī)械拋光）工藝可兼容[11]等。
.......
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