基于IDE接口的電子硬盤
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資料類別
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電子電工畢業(yè)論文(設(shè)計) |
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課程(專業(yè))
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通信工程 |
關(guān)鍵詞
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閃速存儲器|44pin |
適用年級
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大學(xué) |
身份要求
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普通會員 |
金 幣
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60 。金幣如何獲得?) |
文件格式
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word |
文件大小
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1219K |
發(fā)布時間
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2015-08-11 10:14:00 |
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下載次數(shù)
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1 |
發(fā)布人 |
kj008 |
內(nèi)容簡介:
基于IDE接口的電子硬盤,畢業(yè)設(shè)計,正文共36頁,17388字,附任務(wù)書、開題報告、英文翻譯等。
中文摘要
閃速存儲器(Flash Memory)是一類非易失性存儲器NVM(Non-Volatile Memory)。它和電可編程只讀存儲器(EPROM)相比,具有電可擦除和可重復(fù)編程以及成本低、密度大等優(yōu)勢,因此,雖然閃速存儲器在世界存儲器市場出現(xiàn)僅僅幾年的時間,但它已經(jīng)逐漸開始取代動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM),靜態(tài)存儲器(SRAM)和電可編程只讀存儲器(EPROM),成為構(gòu)成存儲介質(zhì)的主流。
Flash Memory可用作固態(tài)大容量存儲器,且這種存儲器與普通硬盤相比,具有體積小、重量輕、可靠性及耐用性好,抗沖擊、抗震動能力強,功耗低等優(yōu)點。因此,隨著Flash Memory集成度不斷提高,價格不斷降低,使其在便攜機上取代小容量硬盤已成為可能。由于目前研制的Flash Memory都符合個人計算機存儲卡國際協(xié)會(PCMCIA)標準,因此這種存儲器可以十分方便地用于各種便攜式計算機中以取代磁盤。本次設(shè)計的電子硬盤,就是一款基于IDE接口的使用Flash Memory作為存儲介質(zhì)的固態(tài)盤SSD(Solid State Disk)。
本次設(shè)計的電子硬盤,由44pin 標準IDE接口、供電電路、硬盤控制器和Flash Memory芯片構(gòu)成。
44pin 標準IDE接口完全符合最新的ATA133標準,可以與現(xiàn)在主流的筆記本電腦主板完全兼容,也可以通過簡單的轉(zhuǎn)接口與常用PC機主板兼容。
供電電路采用的AME公司生產(chǎn)的AME8800,它具有低壓降、誤差在1.5%以內(nèi)的300MA穩(wěn)定輸出和自動過溫保護和過流保護功能。
硬盤控制器使用的是SST公司生產(chǎn)的SST55LD019A,它具有低功耗(工作電壓3.3v-5v)、主機讀取速度快(最快可達10M/s)、穩(wěn)定性好(可在-40°C-85°C的工業(yè)環(huán)境下穩(wěn)定運行)、兼容性好(支持PIO Mode-4、Multi-word DMA Mode-2兩種最新的傳輸模式,兼容標準NAND型Flash Memory)等優(yōu)點。
Flash Memory芯片采用的是2片三星公司生產(chǎn)的K9F5608U0B,該芯片為NAND型Flash Memory,單片容量為32M*8bit。
本次設(shè)計采用Orcad 9.2進行原理圖繪制,并使用PowerPCB 5.1進行PCB布板和覆銅,計劃使用雙層板,所有元件均采用貼片類型。
關(guān)鍵詞:閃速存儲器,44pin 標準IDE接口,硬盤控制器,供電電路
目錄
第一章 緒論 1
第二章 閃速存儲器簡介 2
2.1 閃速存儲器的產(chǎn)生和發(fā)展 2
2.2閃速存儲器的主要技術(shù)類型 2
2.3閃速存儲器的結(jié)構(gòu)和功能特點 5
2.4 閃速存儲器的工作模式 7
2.5 閃速存儲器在大容量存儲器領(lǐng)域的應(yīng)用 7
第三章 設(shè)計方案收集和選擇 9
3.1 設(shè)計思路 9
3.2 方案1簡介 9
3.2 方案2簡介 13
2.3 方案比較和最終選擇 15
第四章 設(shè)計步驟 17
4.1 繪制設(shè)計原理圖 17
4.1.1 Orcad軟件簡介 17
4.1.2 在Orcad中制作芯片封裝 17
4.1.3 放置元件及連線 20
4.1.4 原理圖CRC校驗及檢錯 21
4.1.5 創(chuàng)建網(wǎng)表 23
4.2 繪制PCB板圖 23
4.2.1 PowerPCB軟件簡介 23
4.2.2在PowerPCB中制作芯片封裝 24
4.2.3 導(dǎo)入原理圖網(wǎng)表 27
4.2.4 手動布線 27
4.2.5 覆銅 29
第五章 作品調(diào)試及結(jié)論 31
5.1 調(diào)試步驟 31
5.2 結(jié)論 32
5.3 對設(shè)計結(jié)果的分析和對作品改進方面的考慮 32
謝辭 33
參考文獻 34
附錄 35
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