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InP HBT器件單粒子效應(yīng)研究
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資料類別
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電子電工畢業(yè)論文（設(shè)計） |
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課程(專業(yè))
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微電子學與固體電子學 |
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關(guān)鍵詞
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InP HBT|單粒子效應(yīng) |
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適用年級
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大學 |
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身份要求
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普通會員 |
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金 幣
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40 （金幣如何獲得？） |
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文件格式
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word |
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文件大小
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10123K |
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發(fā)布時間
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2017-10-08 05:03:00 |
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預(yù)覽文件
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無 |
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下載次數(shù)
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0 |
| 發(fā)布人 |
kj008 |
內(nèi)容簡介：
InP HBT器件單粒子效應(yīng)研究，畢業(yè)論文，共65頁，26689字。
摘要
天然空間輻射環(huán)境中的高能粒子可以導致航天器中的半導體器件發(fā)生單粒子效應(yīng)，進而改變數(shù)字電路以及存儲單元的邏輯狀態(tài)，導致航天器發(fā)生事故。開展地面的重離子單粒子效應(yīng)的研究，是研究單粒子效應(yīng)十分重要的手段之一，對器件抗單粒子效應(yīng)的加固，提高航天器的可靠性具有十分重要的意義。
本文研究了空間輻射環(huán)境以及空間輻射環(huán)境中的重離子導致InP HBT發(fā)生單粒子瞬態(tài)效應(yīng)的機理，對InP HBT器件進行了單粒子效應(yīng)物理級仿真。通過大量仿真工作找到了InP HBT的敏感區(qū)，同時分析了入射重離子在線性能量閾值，入射半徑以及入射深度等因素對該效應(yīng)的影響。論文仿真了同一個InP HBT在不同偏壓（1V、3V、5V），不同LET值（0.1pC/μm~0.7 pC/μm）條件下的SET，并對仿真結(jié)果進行了分析。通過對InP HBT器件的物理級仿真，可以得到影響電路工作的瞬態(tài)脈沖電流源，在數(shù)字電路中加入該脈沖電流源，進行電路級單粒子效應(yīng)仿真。
關(guān)鍵詞：InP HBT 單粒子效應(yīng) 單粒子瞬態(tài) 數(shù)字電路
目錄
第一章 緒論 1
1.1 空間輻射環(huán)境 1
1.2 InP HBT器件單粒子效應(yīng)研究的必要性 4
1.3 單粒子效應(yīng)研究現(xiàn)狀 6
1.4 本論文內(nèi)容安排 10
第二章 半導體器件單粒子輻照過程及作用原理 11
2.1 重離子電荷淀積方式 12
2.2 InP HBT中單粒子瞬態(tài)形成機理 13
2.3 數(shù)字電路的單粒子翻轉(zhuǎn)機制 15
2.4 單粒子效應(yīng)機理研究中的不足 17
2.5 本章小結(jié) 18
第三章 InP HBT單粒子效應(yīng)仿真 19
3.1 仿真軟件和環(huán)境介紹 19
3.2 InP HBT的結(jié)構(gòu)和主要特性 20
3.3 單粒子效應(yīng)仿真的實現(xiàn) 22
3.4 InP HBT單粒子效應(yīng) 24
3.4.1 入射位置的影響 28
3.4.2入射半徑的影響 30
3.4.3 入射深度的影響 32
3.4.4 入射能量的影響 33
3.4.5 不同偏置下的單粒子效應(yīng) 36
3.5 本章小結(jié) 37
第四章 交互式InP HBT數(shù)字電路單粒子效應(yīng)仿真方法研究 39
4.1 混合模擬仿真 39
4.2 模擬脈沖源研究 40
4.2.1 矩形注入脈沖模型 40
4.2.2 雙指數(shù)注入脈沖模型 41
4.2.3 瞬態(tài)注入脈沖模型 41
4.3 與其他方法比較 46
4.4 本章小結(jié) 46
第五章 結(jié)束語 49
致謝 51
參考文獻 53
攻讀碩士期間的研究成果和參加的科研項目 56
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