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半導(dǎo)體Mg2Si薄膜生長過程的蒙特卡羅模擬
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資料類別
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電子電工畢業(yè)論文（設(shè)計(jì)） |
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課程(專業(yè))
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電子信息科學(xué)與技術(shù) |
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關(guān)鍵詞
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薄膜生長|沉積過程 |
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適用年級
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大學(xué) |
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身份要求
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普通會員 |
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金 幣
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60 （金幣如何獲得？） |
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文件格式
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word |
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文件大小
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603K |
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發(fā)布時(shí)間
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2017-10-23 16:41:00 |
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預(yù)覽文件
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下載次數(shù)
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1 |
| 發(fā)布人 |
kj008 |
內(nèi)容簡介：
半導(dǎo)體Mg2Si薄膜生長過程的蒙特卡羅模擬，畢業(yè)設(shè)計(jì)，共32頁，19376字，附任務(wù)書、開題報(bào)告、中期檢查表等。
摘要
在原子尺度上揭示半導(dǎo)體Mg2Si薄膜膜層形成初期粒子的微觀變化過程及膜層微觀結(jié)構(gòu)的演化規(guī)律，對深入了解表面粒子的遷移、吸附和成核，對改進(jìn)和優(yōu)化薄膜生長工藝、提高薄膜質(zhì)量、改善薄膜性質(zhì)具有重要意義。本文運(yùn)用蒙特卡羅方法對半導(dǎo)體Mg2Si薄膜生長進(jìn)行模擬，分析和模擬的結(jié)果表明：沉積半導(dǎo)體Mg2Si粒子在基體上的成核大小、擴(kuò)散步數(shù)和成核密度主要取決于基體表面幾何形貌、沉積粒子的初始能量、表面的吸附能和基體溫度；隨著溫度的升高，沉粒子的平均擴(kuò)散步數(shù)增加，在一定的生長溫度下，隨著沉積粒子的增加，形成原簇團(tuán)的數(shù)目先增加后減少，簇團(tuán)的平均大小增大；沉積過程中，簇團(tuán)的數(shù)目到達(dá)界值之前，沉積粒子主要貢獻(xiàn)于成核，當(dāng)核密度達(dá)到一定值時(shí)，此后則主要貢獻(xiàn)于己有晶核的成長和融合，隨著沉積的繼續(xù)，沉積粒子主要貢獻(xiàn)于填補(bǔ)迷津結(jié)構(gòu)，形成連續(xù)的半導(dǎo)體Mg2Si薄膜。
關(guān)鍵詞：薄膜生長；沉積過程；蒙特卡羅方法；半導(dǎo)體Mg2Si薄膜
目 錄
Abstract IV
第一章 緒論 1
1.1 薄膜材料及其研究意義 1
1.2 半導(dǎo)體材料的發(fā)展歷程和應(yīng)用領(lǐng)域 2
1.2.2 半導(dǎo)體材料的應(yīng)用領(lǐng)域 3
1.3 Mg2Si的基本性質(zhì)及研究現(xiàn)狀 4
1.3.1 Mg2Si的基本性質(zhì) 4
1.3.2 Mg2Si的研究現(xiàn)狀 5
1.4 Mg2Si的計(jì)算機(jī)模擬 5
1.5 本文的主要工作 6
第二章 模擬半導(dǎo)體Mg2Si薄膜生長的基本模型 7
2.1 蒙特卡羅方法（MC） 7
2.1.1 蒙特卡羅方法的基本原理 7
2.1.2 在數(shù)學(xué)中的應(yīng)用 7
2.1.3 蒙特卡羅方法的基本思想 8
2.1.4 蒙特卡羅方法的模擬過程 8
2.1.5 蒙特卡羅方法的發(fā)展歷史： 10
2.1.6 蒙特卡羅方法模擬的基本步驟 11
第三章 Mg2Si薄膜過程及蒙特卡羅方法（MC）具體模擬方法 13
3.1.1 沉積粒子的吸附過程 13
3.1.2 粒子的脫附過程 16
3.2 粒子的遷移馳豫過程 17
3.2.1 粒子在基體表面上的弛豫 17
3.2.2 沉積粒子在基片表面上的遷移 19
3.2.3 形成原子對 20
3.2.4 小原子團(tuán)的形成 20
3.2.5 主要研究內(nèi)容及結(jié)論 23
參考文獻(xiàn) 25
致謝 26
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