|
基于SRIM的入射粒子束與靶材相互作用的計算機模擬
|
|
資料類別
|
電子電工畢業(yè)論文（設(shè)計） |
|
|
課程(專業(yè))
|
電子信息工程 |
|
關(guān)鍵詞
|
蒙特卡洛|分子動力學(xué) |
|
適用年級
|
大學(xué) |
|
身份要求
|
普通會員 |
|
金 幣
|
60 �。�金幣如何獲得？） |
|
文件格式
|
word |
|
文件大小
|
4622K |
|
發(fā)布時間
|
2017-11-02 18:40:00 |
|
預(yù)覽文件
|
0939805.png（只能預(yù)覽部分內(nèi)容） |
|
下載次數(shù)
|
2 |
| 發(fā)布人 |
kj008 |
內(nèi)容簡介：
基于SRIM的入射粒子束與靶材相互作用的計算機模擬，畢業(yè)設(shè)計，說明書共36頁，16672字，附任務(wù)書、開題報告、中期檢查表。
摘要
入射粒子束轟擊固體靶材在工業(yè)生產(chǎn)和科學(xué)研究中都有重要的應(yīng)用。如表面改性、離子注入以及濺射鍍膜等。本文基于SRIM軟件，對入射粒子束與靶材的相互作用及其濺射特性做了較為細致的研究。本論文主要做了如下幾個方面的工作：
以不同入射能量( ）的粒子轟擊靶材，研究不同能量對靶材濺射特性的影響。
以不同入射角度（ ）的粒子轟擊靶材，研究不同角度對靶材濺射特性的影響。
以相同入射能量和角度的粒子轟擊不同的靶材，研究濺射特性隨元素周期表的變化特性。
模擬結(jié)果表明：
原子量較小時的Ar+入射Mg所引起的濺射，主要是由進入表面之下的背散射離子產(chǎn)生的碰撞級聯(lián)造成，濺射原子具有較高的能量，離子在Mg中有較廣的分布；而隨著原子量逐漸變大Ar+入射所引起的濺射，主要是由進入Mg內(nèi)部的離子直接產(chǎn)生的碰撞級聯(lián)產(chǎn)生，撞擊濺射出來原子的能量相對較高，氬離子在靶材Mg中分布有較高的分布。濺射率也跟隨能量的不斷增大而相應(yīng)的增大。
氬離子的入射角從（ ）這個階段，靶材Mg的濺射率變化相對很�。蝗肷浣窃谟桑� ）范圍之間時，靶材Mg的濺射率有明顯的增大；入射角到達75 o左右時，靶材Mg達到最高峰；入射角從（ ）這個階段，靶材Mg濺射率出現(xiàn)銳減情況。
濺射率隨元素周期表沒有明顯規(guī)律，其走向沒有規(guī)律性可尋。還可以看出濺射率跟靶材的材質(zhì)有關(guān)，貴重金屬靶材跟其它靶材相比濺射率相對都較高。
關(guān)鍵詞: 蒙特卡洛；分子動力學(xué)；濺射率；級聯(lián)碰撞
目 錄
摘 要 Ⅲ
Abstract Ⅳ
第一章 緒 論 1
1.1 研究目的及意義 1
1.2 國內(nèi)外研究現(xiàn)狀 2
1.3 本論文的主要內(nèi)容 3
第二章 模擬理論與模擬原理 5
2.1 級聯(lián)碰撞理論 5
2.2 濺射理論 6
2.2.1 濺射概述 6
2.2.2 常用濺射介紹 7
2.2.3 濺射過程中運動粒子同固體表面的相互作用 10
2.3 蒙特卡洛方法 12
2.3.1 蒙特卡洛方法的思想 12
2.3.2 蒙特卡洛方法的發(fā)展歷史 13
2.4 SRIM簡介 15
2.5 分子動力學(xué)DM（Molecular Dynamics)模擬 17
2.5.1 分子動力學(xué)概述 17
2.5.2 分子動力學(xué)模擬原理 18
第三章 靶材濺射的SRIM模擬 20
3.1 離子與固體表面的相互作用 20
3.1.1 離子與固體表面相互作用的基本概念 20
3.1.2 各種離子的發(fā)射現(xiàn)象 22
3.1.3 建立坐標(biāo)系 22
3.1.4 入射離子的位置分布 23
3.1.5 不同能量入射鎂的濺射率 24
3.1.6 不同角度入射鎂的濺射率 24
3.1.7 相同能量轟擊不同靶材濺射率分布規(guī)律 25
第四章 總 結(jié) 27
參考文獻 28
致 謝 29
相關(guān)說明：
1. 如您下載的資料不止一份，建議您注冊成為本站會員。會員請登錄后下載。
2. 會員購買金幣50元以下，0.7元/個，50元以上，0.5元/個。具體請看：下載與付款。
3. 會員48小時內(nèi)下載同一文件，不重復(fù)扣金幣。
4. 下載后請用WinRAR或 WinZIP解壓縮后使用。
5. 如仍有其他下載問題，請看常見問題解答。
下載地址：
|
|
| 相關(guān)畢業(yè)論文（設(shè)計） |
|
|
| 推薦畢業(yè)論文（設(shè)計） |
|
|
|
|
|