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《直拉法制單晶硅和區(qū)熔法晶體生長(zhǎng)》電子書(shū)
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資料類別
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文化課軟件圖書(shū) |
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課程(專業(yè))
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單晶制備原理 |
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關(guān)鍵詞
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直拉法|單晶硅 |
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適用年級(jí)
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大學(xué) |
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身份要求
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普通會(huì)員 |
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金 幣
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0 �。�金幣如何獲得？） |
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文件格式
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word |
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文件大小
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447K |
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發(fā)布時(shí)間
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2011-08-29 21:06:00 |
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預(yù)覽文件
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無(wú) |
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下載次數(shù)
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30 |
| 發(fā)布人 |
kj008 |
內(nèi)容簡(jiǎn)介：
第一節(jié) 概述
多晶硅是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過(guò)冷條件下凝固時(shí)，硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核，如這些晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結(jié)合起來(lái)，就結(jié)晶成多晶硅。多晶硅可作拉制單晶硅的原料，多晶硅與單晶硅的差異主要表現(xiàn)在物理性質(zhì)方面。例如，在力學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)和熱學(xué)性質(zhì)的各向異性方面，遠(yuǎn)不如單晶硅明顯；在電學(xué)性質(zhì)方面，多晶硅晶體的導(dǎo)電性也遠(yuǎn)不如單晶硅顯著，甚至于幾乎沒(méi)有導(dǎo)電性。在化學(xué)活性方面，兩者的差異極小。多晶硅和單晶硅可從外觀上加以區(qū)別，但真正的鑒別須通過(guò)分析測(cè)定晶體
的晶面方向、導(dǎo)電類型和電阻率等。
多晶硅由很多單晶組成的，雜亂無(wú)章的。單晶硅原子的排列都是有規(guī)律的，周期性的，有方向性。
當(dāng)前生長(zhǎng)單晶主要有兩種技術(shù)：其中采用直拉法生長(zhǎng)硅單晶的約占80%，其他由區(qū)溶法生長(zhǎng)硅單晶。
采用直拉法生長(zhǎng)的硅單晶主要用于生產(chǎn)低功率的集成電路元件。例如：DRAM,SRAM,ASIC電路。
......
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