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半導體電子書
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資料類別
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電子電工軟件圖書 |
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課程(專業(yè))
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半導體 |
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關(guān)鍵詞
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空調(diào)設(shè)計|半導體 |
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大學 |
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發(fā)布時間
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2011-11-06 11:17:00 |
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| 發(fā)布人 |
kj008 |
內(nèi)容簡介：
半導體電子書
目 錄
緒論…………………………………………………………………...………... …. .. 2
第一章 半導體晶體結(jié)構(gòu)和缺陷…………………………………………… …..……2
1.1 半導體的晶體結(jié)構(gòu)……………………………………………….………2
1.2 晶體的晶向與晶面……………………………………………….………4
1.3 半導體中的缺陷………………………………………………….………6
第二章 半導體的能帶與雜質(zhì)能級……………………………………………….…7
2.1 半導體中電子共有化運動與能帶……………………………..……….…7
2.2 半導體中的E( k ) ~ k 關(guān)系 有效質(zhì)量和k 空間等能面……………....…11
2.3 Si、Ge 和GaAs 的能帶結(jié)構(gòu)………………………………………...……14
2.4 本征半導體和雜質(zhì)半導體………………………………………………15
第三章 半導體中的平衡與非平衡載流子……………………………………….…19
3.1 導帶電子濃度與價帶空穴濃度…………………………………………19
3.2 本征載流子濃度與本征費米能級………………………………….……21
3.3 雜質(zhì)半導體的載流子濃度………………………………………………23
3.4 簡并半導體及其載流子濃度……………………………………………26
3.5 非平衡載流子的產(chǎn)生與復合 準費米能級…………………..…………28
3.6 非平衡載流子的壽命與復合理論………………………….……………29
第四章 半導體中載流子的輸運現(xiàn)象………………………………………………32
4.1 載流子的漂移運動與遷移率……………………………………………32
4.2 半導體中的主要散射機構(gòu) 遷移率與平均自由時間的關(guān)系…...………33
4.3 半導體的遷移率、電阻率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系……………………36
4.4 載流子的擴散運動 愛因斯坦關(guān)系……………………………….……40
4.5 連續(xù)性方程………………………………………………...……………42
第五章 半導體表面…………………………………………………………………42
5.1 半導體表面和表面能級…………………………………………………42
5.2 Si-SiO2 系統(tǒng)中的表面態(tài)與表面處理……………………………………43
5.3 表面能帶彎曲與反型…………………………………………....………45
5.4 表面復合……………………………………………………...…………46
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